Wachstum der Graphitkristalle im Gusseisen unter besonderer Berücksichtigung der Grenzflächenspannung

Berichtet wird über die Theorien der Graphitkristallausbildung in Gusseisen mit Lamellen-, Vermicular- bzw. Kugelgraphit mit niedrigem Schwefelgehalt, in sehr reinen Fe-C-, Ni-C- und Co-C-Legierungen und in Temperguss mit hohem Schwefelgehalt. Speziell wurden die Ergebnisse von Messungen der Grenzflächenspannung in Schmelzen und an spezifischen Kristallflächen von Graphitkristallen analysiert. Ein Blick auf die Theorien des Kristallwachstums führt zu einem neuen Modell für das Wachstum von Graphitkristallen in den genannten Werkstoffen.Einleitung
Der vorliegende Beitrag ist ein Streifzug durch ein Jahrhundert von Fachveröffentlichungen über das Kristallwachstum allgemein und das Wachstum von Graphitkristallen im Gusseisen. Es versteht sich von selbst, dass wegen der Fülle von Fachveröffentlichungen auch nicht annähernd das gesamte Schrifttum zu diesen Gebieten vollständig dargestellt werden kann. Der nachfolgende Bericht ist eine Kurzfassung einer umfangreicheren Veröffentlichung [1].
Für die Bildung von Kristallen sind zwei Teilschritte erforderlich: Die Keimbildung oder das Vorhandensein von Keimen und das Kristallwachstum.
Den Entwicklungsstand von 1970 über die Theorie der Bildung von Kugelgraphit im Gusseisen beschreibt B. Lux [2] ausführlich. … 7 Seiten